Още през месец август стана известно, че Samsung е подготвил своите поточни линии за започване производството на четвъртото поколение многослойна памет тип 3D NAND, която Samsung нарича 3D V-NAND.
Това са чипове, съставени от 64 слоя 3D NAND TLC памети с информационен обем 512 Gb. Тези кристали дават възможност за производството на флаш-дискове с BGA корпус и обем до 1 TB. Досега компанията произвеждаше 3D NAND TLC/MLC памети с 48 слоя с плътност 256 Gb, които се използват в SSD на Samsung от фамилиите 960 Pro и 960 EVO.
Масовото производство на 64-слойни чипове трябва да започне през четвъртото тримесечие на тази година и по-точно към края на годината. Това ще стане едновременно в два завода: в китайската фабрика на компанията в Сиан (Xi’an) и в южнокорейското предприятие на Samsung в град Хуасонг (Hwaseong). Освен това компанията съобщи, че през месец декември ще бъде въведено в експлоатация новото производствено предприятие Line 18 в град Пейонтхек (Pyeongtaek). Първата продукция от този завод трябва да започне да излиза от поточните линии на 18-ти април 2017 година. Това ще бъде 64-слойна памет 3D NAND.
Инвестициите в тези три предприятия са в размер на $14 милиарда. Samsung може наистина да изравни към 2020 година цените на 512 GB SSD и на 1 TB HDD.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
