Двуизмерните оксиди откриват пътя към бързата електроника

Напредъкът в компютърните технологии през последните десетилетия стана възможен благодарение на производството на все по-малки транзистори, но постепенно се приближаваме до границата на възможностите на силиция. Нов метод дава възможност за създаване на двуизмерни оксидни материали, които биха могли да се превърнат в основата на една нова и бърза електроника на бъдещето.

„Един от начините, с помощта на които бихме могли да ускорим работата на нашите електронни устройства, е да намалим разстоянието, което електроните трябва да изминат между точките А и Б“, казва професор Джошуа Робинсън от Държавния университет на Пенсилвания. „Материалите като силиция имат граници – щом ги намалите до един нанометър, техните свойства се променят. Затова има голяма необходимост от нови видове материали, единият от които са двуизмерните оксиди“.

Учените са използвали метода на изолационната хетероепитаксия за създаване на двуизмерни оксиди – материали със специални свойства, които могат да служат като изолационни слоеве с дебелина един атом между два електропроводими слоя. Това дава възможност проводящите слоеве да бъдат силно приближени един към друг, без да се допират.

Процесът на тяхното производство включва нагряване на силициев карбид до високи температури, при което тънък слой силиций започва да се изпарява от повърхността и оставя въглерод под формата на графен – слой с дебелина един атом и хексагонална кристална решетка. Чрез създаването на повече отверстия в материала и повторното му нагряване учените са успели да стабилизират в две измерения обикновено триизмерните материали като например галиевия оксид, пише Phys.org.