Нова технология за производството на CNFET полеви транзистори от въглеродни нанотръби

Полевите транзистори от въглеродни нанотръби имат значително по-висока енергийна ефективност в сравнение със силициевите и могат да се използват за създаването на нов тип триизмерни процесори. Но досега тези транзистори се произвеждаха в съвсем малки количества в лабораториите. Американски специалисти публикуваха научна работа, в която описаха процеса на производство на CNFET полеви транзистори от въглеродни нанотръби в големи количества с помощта на стандартни 200 мм подложки, които са промишлен стандарт за производството на чипове.

За разлика от силициевите транзистори, които се произвеждат при температура около 400-500 градуса по Целзий, полевите транзистори от нанотръби (CNFET) могат да се произвеждат при почти стайна температура. Това означава, че в чиповете могат да бъдат лесно нанасяни слой върху слой и по този начин да бъдат изграждани триизмерни чипове. Това няма как да се направи със силиция, понеже долните слоеве ще се разтопят. Специалистите са на мнение, че е възможно изграждането на 3D чип, включващ както процесорна логика, така и памет. Подобен чип би бил цели порядъци по-бърз от обикновените двуизмерни SoC.

Учените от MIT  са модифицирали един от най-ефективните методи за създаването на CNFET. Това е инкубационният метод, при който подложката се потапя във вана с нанотръби, като този подход е идеален за масовото производство. Една от използваните нови технологии е сухото циклиране – метод за многократно потапяне и изсушаване, като по този начин времето на инкубация се намалява от 48 часа на едва 150 секунди.

Новата технология ускорява производството на CNFET транзисторите с 1100 (хиляда и сто) пъти. Работата върху създаването на съвсем нов тип 3D чипове продължава,