Флаш паметта става все по-популярна, но това не я прави перфектна. Флаш чиповете имат определен брой записи, което може да доведе до проблеми след години, ако постоянно се записва и чете информация от диска.
Опитвайки се да избегнат това, производителите започнаха да прилагат технологията на слоевете, но това може вече да не е необходимо, благодарение на новия вид флаш памет, разработен от японски учени към университета в Токио. Фероелектрическата NAND флаш памет ще консумира по-малко електроенергия, но най-голямо й предимство ще бъде възможността за 100 милиона записа на клетка, което е около 10,000 пъти повече в сравнение с днешната флаш памет. Като допълнение, новата флаш памет може да се намали до 10 nm, което е 2 пъти по-малко спрямо сегашната флаш памет.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
