Новаторска технология за ецване на 3D NAND кристали може да направи SSD дисковете значително по-евтини

Най-четени

Емил Василев
Емил Василев
Емил Василев редовно превежда сложни научни теми на достъпен език — от въпроси като „Какво е имало преди Големия взрив?" до практическото приложение на биотехнологиите в лечението на болести. Тази комбинация от технологична и научна журналистика го прави един от най-разностранните автори в екипа на Kaldata.

Когато технологията за 3D NAND памет беше в начален стадий на развитие имаше много по-малко слоеве и по-дебели метализационни отвори. Днес броят на слоевете е надхвърлил 200 и се очертава да нарасне до 400 или повече. Това значително намалява скоростта на обработка на пластините с памет, тъй като ецването (обработката) на метализационните отвори до цялата дълбочина на набъбналия кристал значително забавя процеса на производство на чипове и не позволява да се намали тяхната цена. Учени от САЩ са се опитали да помогнат за това и са постигнали обещаващ резултат.

Wikipedia: Ецване се нарича група технологични методи за управляемо отстраняване на повърхностен слой материал от заготовката под действието на специално подбрани химични реактиви.

Отчасти проблемът с дългото време за ецване на силициевите пластини на по-голяма дълбочина, производителите на 3D NAND решават, като „слепват“ помежду си кристали с по-малък брой слоеве, в резултат на което се получава условно монолитен чип със стотици слоеве, но това също изисква допълнително време и ресурси за всеки отделен процес, което се изразява в значителни разходи, а те се превръщат в причина за допълнителното увеличение в цената на чиповете памет.

Новаторска технология за ецване на 3D NAND кристали може да направи SSD дисковете значително по-евтини

Изследователи от Lam Research, Университета на Колорадо в Боулдър (CU) и Лабораторията за физика на плазмата в Принстън (PPPL) са разработили нов подход за оптимизиране на процеса на ецване.

Те са използвали криогенна плазма от водороден флуорид за ецване на дупки. При експериментите им скоростта на ецване се е увеличила повече от два пъти – от 310 nm/min при стария метод до 640 nm/min при новия. Установено е също така, че отворите, ецвани по новия метод са станави по-чисти.

При по-нататъшни експерименти с добавки към плазмата по време на ецване са тествани и други „добавки“, а именно фосфорен трифлуорид и амониев флуоросиликат, наред с други. С някои от съставките скоростта на ецване се увеличила още повече, което обещава да доведе до нови постижения. Екипът от учени описва подробно своите открития в проучване, публикувано в Journal of Vacuum Science & Technology.

Все още е рано да се каже дали това ще доведе до по-евтини или по-плътни NAND чипове за потребителите. Необходимо е да се докаже, че технологията е търговски жизнеспособна и може да се мащабира за масово производство. Дори ако производителите приложат процеса, няма гаранция, че потребителите ще усетят някакви собствени икономии при съответните покупки.

АбонаментВсичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.

С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!

Нови ревюта

Подобни новини