Учените от лабораторията по материали за наноелектроника (NaMLab gGmbH) демострираха първия в света германиев транзистор, в който проводимостта може да се превключва от P на N и обратно.
По-малката ширина на забранената зона при германия в сравнение със силиция дава възможност за понижаване на консумацията на електрическа енергия и захранващото напрежение на транзистора. Типът проводимост – електронна (N) или дупчеста проводимост (P) се определя от напрежението, подадено на един от електродите на новия транзистор.
Използването на материали с тясна забранена зона, като например германий или индиев арсенид разкрива нови перспективи за още по-голяма миниатюризация на транзисторите и увеличение производителността на чиповете от най-ново поколение. Един от главните проблеми пред тези цели са статичните загуби на енергия при изключен режим на транзисторите. Учените от NaMLab/CFAED са конструирали транзистор с независими гейт зони.
Ръководителят на екипа доктор Уолтър Вебер (Walter Weber) сподели, че новите транзистори за първи път в света демонстрират ниско работно напрежение и изключително малка утечка. Те могат да се окажат ключов момент за създаването на съвсем нови полупроводникови чипове с непозната досега енергийна ефективност.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
