Учени от Кеймбридж представиха нов тип памет, която значително ще ускори работата на изкуствения интелект

Най-четени

Даниел Десподов
Даниел Десподов
Новинар. Увличам се от съвременни технологии, информационна безопасност, спорт, наука и изкуствен интелект.

Изследователски екип, ръководен от Университета в Кеймбридж, е разработил нов дизайн на компютърна памет, който значително ще подобри производителността и ще намали консумацията на енергия в интернет и комуникационните технологии.

Според университета през следващото десетилетие изкуственият интелект, интернет и другите технологии, работещи с големи количества данни, ще консумират 30% от електроенергията в света. Прехвърлянето на информация между устройствата за съхранение и обработка изисква много енергия и време, се казва в проучването.

Учените експериментират с нов вид технология, известна като резистивна превключваща памет. За разлика от съществуващите устройства, които кодират данните в две състояния (едно или нула), разработката на учените позволява използването на непрекъснат диапазон от състояния.

Това се постига чрез прилагане на електрически ток към определени материали, което води до увеличаване или намаляване на електрическото съпротивление. Различните промени в електрическото съпротивление създават разнообразни възможни състояния за съхранение на данните.

„Една типична USB памет, базирана на непрекъснат диапазон, би могла да съхранява например десет до сто пъти повече информация“, казва водещият автор на изследването Маркус Хеленбранд.

Учени от Кеймбридж представиха нов тип памет, която значително ще ускори работата на изкуствения интелект

Екипът е разработил прототип на устройство, базирано на хафниев оксид. Досега този материал беше труден за използване в резистивната памет поради липсата на информация за структурата на материала на атомно ниво. Учените обаче са намерили решение: добавили са барий към сместа.

Така се създават бариеви „мостове“ със сложна структура, които се разполагат между плътните филми от хафниев оксид. В точката, където тези „мостове“ се пресичат с контактите на устройствата, се създава енергийна бариера, която дава възможност на електроните да я преминат.

Енергийната бариера може да се повишава или понижава. Това променя съпротивлението на композита от хафниев оксид и позволява на материала да се намира в няколко състояния и да запомня тези състояния.

Според учените новата памет работи подобно на начина, по който работят синапсите в мозъка, които могат както съхраняват, така и да обработват информацията.

АбонаментВсичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.

С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!

Нови ревюта

Подобни новини