Ентусиаст създаде своя собствена RAM памет в барака в задния си двор

Dr. Semiconductor се върна в своята барака, за да провери дали обикновен човек може сам да реши проблема с дефицита на DRAM. Във видеото по-долу можете да видите как ентусиастът преминава през всички етапи на полупроводниковия процес, необходими за създаването на матрица от паметни клетки в чиста стая в барака в задния си двор.

Това е „първият случай в историята, когато оперативната памет е била направена у дома.“

се хвали той

„RAMageddon“ не е единственият проблем, засягащ ентусиастите в сглобяването на компютри и индустрията като цяло. Dr. Semiconductor споменава, че колебанията в цените на RAM паметта, подхранвани от индустрията за изкуствен интелект се дължат на факта, че трите най-големи играчи (и други) не могат да задоволят търсенето. Подобни ефекти се наблюдават и на пазара на твърди дискове, видеокарти, а някои смятат, че доставките на процесори също ще започнат да страдат.

И тъй като съществуващата индустрия не е в състояние да задоволи нуждите на потребителите от RAM на атрактивни цени през 2026 година, техно-ютубърът си задава въпроса: „Превърнах бараката в задния двор в чиста стая от клас 100 за производство на полупроводници… но въпросът е дали ще мога да си направя собствена RAM памет?“
След въведението Dr. Semiconductor накратко описва как работи компютърната памет и как тя се състои основно от огромни масиви, съдържащи множество кондензатори и транзистори.

Преминавайки към практическата част на задачата, Dr. Semiconductor започва с отрязването на няколко силициеви чипа от голяма пластина. Това е началото на етапа на подготовка и почистване в процеса на производство на чипове.

Следва начален етап на формиране на структурата. В пещ с висока температура върху повърхността на силиция се нанася слой оксид. Според оценки дебелината на този слой е 330 nm. Върху този слой се нанася адхезивен слой и фоторезистна мембрана. Транзисторите в конструкцията се формират на следващите етапи. Това включва по-нататъшно ецване на слоевете, легиране на открития силиций за придаване на висока проводимост, а след това отгряване на чиповете за по-дълбоко проникване на легиращата примес.

След още няколко внимателно насочени етапа на отлагане и ецване силициевият чип е готов за метализация. Използва се миниатюрен шаблон за прецизно нанасяне на алуминий върху пробата, излишъците се отстраняват и напълно оформеният многослоен чип най-накрая е готов за тестове.

Проверка на резултатите

Изработените DRAM клетки са толкова малки, че ентусиастът не може да използва проводници, за да ги свърже с изпитвателното оборудване. Вместо това с ювелирна прецизност се позиционират сондите на микроманипулатора. Добрата новина е, че Dr. Semiconductor остана доволен от готовите си DRAM чипове, тъй като измерената капацитет на клетките беше 12 pF, което е добър резултат за любителя.

В края на видеото Dr. Semiconductor намеква, че възнамерява да развие този значителен, макар и нищожен успех. Той планира да подготви много по-голям масив от готови паметни клетки и казва, че те ще бъдат подготвени за „свързване към компютър“. Очаквайте практическа реализация в мащабите на персонален компютър. Вече съобщихме за създаването от Dr. Semiconductor на тази чиста стая на базата на градинска барака още през март.