Ключовите характеристики на SoC Snapdragon 8150 – чипът за флагманските смартфони през 2019 година

1
858

В началото на месец декември тази година Qualcomm трябва да представи нова система-върху-чипа за смартфони и таблети. Това е Snapdragon 8150, а сега популярният блогър Ice Universe разкри някои ключови параметри на този чип.

Според тази информация, Snapdragon 8150 ще има три клъстъра, включващи общо 8 процесорни ядра:

  • Първи клъстър: 3 процесорни ядра Kryo Gold с 256 KB кеш памет от второ ниво. Максимална честота 2,419 GHz
  • Втори клъстър: високопроизводителното ядро Kryo Gold Prime с 512 KB кеш памет от второ ниво. Максимална тактова честота 2,842 GHz
  • Трети клъстър: 4 икономични процесорни ядра Kryo Gold със 128 KB кеш от второ ниво за всяко ядро

Според Qualcomm, използването на три клъстъра в чипа ще осигури икономия на енергията, когато смартфонът е в режим на готовност или е натоварен съвсем слабо. Трите процесорни ядра ще осигурят ефективна работа при използване на обикновените приложения, а бързият клъстър ще даде силен ръст на производителността при игрите или когато е необходимо.

Очаква се Qualcomm да представи Snapdragon 8150 на 4-ти декември тази година на специално организираното за тази цел събитие.

В бенчмарковете AnTuTu и Geekbench вече започнаха да се появяват тестове на прототипи с новата SoC, в които производителността е по-висока от тази на новите топ-модели на Apple.

1
ДОБАВИ КОМЕНТАР

avatar
1 Коментари
0 Отговори на коментарите
0 Последователи
 
Коментарът с най-много реакции
Най-горещият коментар
1 Автори на коментарите
YourMaster Автори на последните коментари
  Абонирай се  
нови стари оценка
Извести ме за
YourMaster
YourMaster

Според предварителни данни:
GEEKBENCH MULTI-CORE
Snapdragon 8150 – 10,084
Huawei Mate 20 Pro w/Kirin 980 – 9,712
Google Pixel 3 XL w/Snapdragon 845 – 8,088

GEEKBENCH SINGLE-CORE
Huawei Mate 20 Pro w/Kirin 980 – 3,291
Snapdragon 8150 – 3,181
Google Pixel 3 XL w/Snapdragon 845 – 2,363