Масовото производство на резистивна памет е все по-близо

0
15

Един от най-вероятните кандидати за памет от следващо поколение е резистивната памет (ReRAM или RRAM), като най-големи успехи в това направление постигна компанията Crossbar. Този тип памет се базира на електрическото съпротивление, а не на електрическия заряд в транзисторни клетки. Crossbar съобщи, че е готова да започне масовото производство на ReRAM памет, без да е необходимо построяването на нови заводи – само с наличните производствени мощности.

ReRAM паметта има съществени преимущества пред масово използваната сега NAND памет. Жизненият цикъл на NAND паметите е ограничен, като при използването на по-тънки технологични процеси, капацитивните загуби в клетките памет се увеличават и се налага използването на все по-сложни алгоритми за корекция на грешките, което снижава бързодействието и налага използването на все по-сложно управление на блоковете памет.

ReRAM паметта няма тези недостатъци и преди записа на информация, не се налага форматиране на клетките. Допълнително, за запис на информация в една NAND клетка се изисква енергия от 1360 пикоджаула, а при ReRAM – 64 пикоджаула. В една клетка могат да се съхраняват два бита информация, а клетките могат да са разположени вертикално.

В момента Crossbar лицензира своите технологии, а първите комерсиални образци ще бъдат представени на партньорите още през 2015 година.

ДОБАВИ КОМЕНТАР

  Абонирай се  
Извести ме за