Един от най-вероятните кандидати за памет от следващо поколение е резистивната памет (ReRAM или RRAM), като най-големи успехи в това направление постигна компанията Crossbar. Този тип памет се базира на електрическото съпротивление, а не на електрическия заряд в транзисторни клетки. Crossbar съобщи, че е готова да започне масовото производство на ReRAM памет, без да е необходимо построяването на нови заводи – само с наличните производствени мощности.
ReRAM паметта има съществени преимущества пред масово използваната сега NAND памет. Жизненият цикъл на NAND паметите е ограничен, като при използването на по-тънки технологични процеси, капацитивните загуби в клетките памет се увеличават и се налага използването на все по-сложни алгоритми за корекция на грешките, което снижава бързодействието и налага използването на все по-сложно управление на блоковете памет.
ReRAM паметта няма тези недостатъци и преди записа на информация, не се налага форматиране на клетките. Допълнително, за запис на информация в една NAND клетка се изисква енергия от 1360 пикоджаула, а при ReRAM – 64 пикоджаула. В една клетка могат да се съхраняват два бита информация, а клетките могат да са разположени вертикално.
В момента Crossbar лицензира своите технологии, а първите комерсиални образци ще бъдат представени на партньорите още през 2015 година.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
