Нови 128 MB чипове STT-MRAM памет с рекордно бързо време на запис

3
917

Японските специалисти от университета Тохоку представих първите в света 128 MB чипове памет тип STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Времето за запис на информация в новата памет не превишава 14 наносекунди. Това е рекордно кратко време и новите чипове могат да бъдат използвани като кеш памет, в устройствата с елементи на изкуствен интелект и други подобни.

STT-MRAM не само е рекордно бърза, но и консумира малко енергия. Тя е енергонезависима и подобно на флаш паметта, запазва информацията след спиране на захранването.

През изминалата 2018 година само три завода в света започнаха производството на STT-MRAM памет. За съжаление, капацитетът на тези чипове засега е в пределите на 8-40 MB, което е малко за съвременната компютърна техника.

Но изследователите от CIES (Center for Innovative Integrated Electronic Systems) успяха да да интегрират на един и същ кристал масив STT-MRAM памет с общ капацитет 128 MB. Това е постигнато чрез миниатюризация на клетките памет с използването на магнитен тунелен преход (magnetic tunnel junction, MTJ) в стандартните CMOS технологии.

Времето на запис на новите чипове не превишава 14 наносекунди при захранващо напрежение 1,2 V.

Същата група специалисти работи и върху адаптирането на новата технология към днешното масово производство на памети. Това означава, че новата STT-MRAM памет трябва да излезе на пазара до края на тази година.

3
ДОБАВИ КОМЕНТАР

avatar
2 Коментари
1 Отговори на коментарите
3 Последователи
 
Коментарът с най-много реакции
Най-горещият коментар
3 Автори на коментарите
LudludНадблюдателКольо Автори на последните коментари
  Абонирай се  
нови стари оценка
Извести ме за
Кольо
Кольо

Скоростта на запис и латентността са малко различни неща. Понеже тази памет едва ли е подходяща да се използува като кеш за процесорите, поне едва ли би могла да замести бързите L1, L2, а дори L3 кешове, освен да се сложи чак на 4-то ниво, не пряко интегрирана в ядрото, а нейде в страни. Обемът на чипа обаче е твърде мизерен…На времето имаше планове с MRAM или PCM(Phase-change memory) да се замени в бъдещето(спрямо онези планове от преди 15+ години, това бъдеще беше определяно, че ще се случи около 2020г) направо оперативната памет на компютъра, обаче по развитието на паметите… Виж още »

Ludlud
Ludlud

Пише 1 кристал 128Мб сметни си 16 кристала се събират на една плочка рам памет има и високи модули със по 32 кристала това са 2ГБ и 4ГБ. Става ще спомага за бързо стартиране на системата щом не е енергозависима. Може да се използва и един модул като L4 или L5 кеш да добавят значително ще се подобри бързодействието на системата. Също и да се използва във ССД и Хардисковете като кеш памет. В таблети и телефони като допълнителна рам ще има ефект подобен на Интел Optane като в компютърните системи. В смарт часовниците като основна рам памет или по… Виж още »

Надблюдател
Надблюдател

Бих си купил една такава 4ГБайта флашка с таз потресаваща скорост, както и распбери или ембедед платка/комп с толкова и такава памет и никакви други видове 🙂 дано да се наложи и да пробие а не са остане като ферорама.