Увеличаването броя на транзисторите по експоненциален начин отдавна е определено като Закон на Мур и е ясно, че техният брой не може да нараства до безкрайност. Това положение на нещата принуждава учените да търсят други пътища за усъвършенстването на полупроводниковите технологии.

Група специалисти от института SUNY в Ню Йорк предложи обединяването на няколко принципни функции в рамките на един и същ полупроводников елемент. Новият подход ще даде възможност за рязко увеличаване функционалността на новите електронни компоненти, за намаляване сложността и цената на производството на чипове, намаляването на техните размери и увеличаването на тяхната ефективност.

Създаденото ново полупроводниково универсално електронно устройство включва на едно място три базови функции едновременно:

  • p-n преход, диод
  • Полеви MOSFET транзистор
  • Обикновен биполярен (bipolar junction transistor, BJT) транзистор

Използва се волфрамов диселенид (WSe2), неотдавна открит полупроводников материал от класа преходни халкогениди. Този материал е много перспективен, понеже ширината на неговата забранена зона може да се регулира чрез промяна на дебелината на материала, което може да стане по време на производството. Освен това волфрамовият диселенид има достатъчно широка забранена зона в своя двуизмерен слой. Възможно е регулиране прага на отпушване чрез контролиране дебелината на еднопластовата структура.

Получил се е универсален полупроводников прибор, в който чрез комбинация на управляващите сигнали, подавани на трите независими гейта, в реално време може да се променя неговата функционалност. Това дава възможност за изграждането на изменяеми логически вериги, които могат избирателно да превключват между няколко различни функции.

Този подход разкрива съвсем нови възможности. Така например, ядрото на процесора ще може да променя своята най-близка периферия и да я направи оптимална за изпълнението на дадена задача. Това неимоверно ще увеличи бързодействието и ефективността на процесорите, без да се налага увеличаване броя на транзисторите в кристалите.

Учените от SUNY възнамеряват да увеличат функционалността на своя полупроводников прибор, като добавят допълнителни способности за превръщане и в други базови полупроводникови компоненти. Паралелно с това се работи върху чипове, изцяло съставени от новите универсални полупроводникови прибори.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iOS и Huawei!

Абонирай се
Извести ме за
guest

0 Коментара
Отзиви
Всички коментари