Американски учени предложиха нов вид MOS транзистори, които могат да работят с много високи напрежения при минимална дебелина на кристала. Използването на подобни устройства в автомобилостроенето би повишило ефективността на електромобилите и би увеличило техния пробег.
Полевите транзистори с изолиран затвор, познати като MOS транзистори, са много разпространени, като в рамките на една година се произвеждат над 50 милиарда от тези устройства.
Специалистите от университета на Бъфало създадоха MOS транзистор базиран на галиев оксид, който е тънък колкото лист хартия, но може да управлява много високо напрежение. В новия транзистор се използва слой от епоксидния полимер SU-8, след което той издържа напрежение от 8000 V. Учените подчертават, че това е много повече в сравнение с подобните транзистори от силициев кардбид или галиев нитрид.
Ключовото свойство на галиевия оксид е впечатляващото значение на забранената зона – 4,8 електронволта. Тази зона показва колко енергия е необходима, за да могат електроните да преминат в зоната на проводимост. Ширината на забранената зона на силиция е 1,1 електронволта, на силициеви карбид и на галиевия нитрид тя е съответно 3,4 и 3,3 електронволта.
По този начин, новите MOS транзисторите от галиев оксид дават възможност за изготвянето на електронни устройства с малки размери и висока производителност. Тези свойства са идеални за електромобилите, както и за локомотивите, самолетите и електроцентралите.
