fbpx
16.7 C
София

IBM и Samsung измислиха вертикалните транзистори VTFET – позволяват заобикалянето на закона на Мур и създаването на свръхефективни чипове

Най-четени

Светослав Димитров
Светослав Димитровhttps://www.kaldata.com/
Занимава се със създаване на съдържание за уеб от 2009 г. с над 9000 написани новини за Калдата. Интересува се от SMM, Афилиейт и др.

На конференцията IEDM в Сан Франциско, IBM и Samsung представиха нова разработка за вертикално разполагане на транзисторите в чиповете. Технологията Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) може или значително да подобри производителността, или да намали консумацията на енергия от чипа в сравнение с традиционните аналози със сравним размер.

В съвременните процесори и чипсети, транзисторите се нанасят върху силициева пластина в хоризонтална равнина. Обратно, когато се използва VTFET, транзисторите са подредени вертикално.

Според производителите, този вид разработка има две предимства. Първо, много от ограниченията, наложени от настоящите технологии от Закона на Мур, са заобиколени. Второ, новият вариант на дизайна води до по-ниски електрически загуби, благодарение на по-ефективното пренасочване на енергията. Според оценките на разработчиците, това ще позволи създаването на чипове, които са или два пъти по-бързи, или използващи 85% по-малко електроенергия от подобните им полупроводници, създадени по технологията FinFET.

Според IBM и Samsung, един ден използването на подобен технологичен процес ще позволи пускането на смартфони, които могат да работят цяла седмица без презареждане и/или да изпълняват енергоемки задачи, включително и криптомайнинг, с по-малко консумация на енергия и по-малко щети върху околната среда.

IBM и Samsung не споделят кога възнамеряват да комерсиализират новия дизайн. Това не са единствените компании, които се опитват да преодолеят съществуващите ограничения. През юли Intel обяви създаването на вариант за оформление на транзистор, който до 2024 г. ще й позволи да надхвърли нанонивото и да създаде чипове в съответствие с технологичния процес Intel 20A, използвайки нови RibbonFET транзистори.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iOS и Huawei!

Абонирай се
Извести ме за
guest
1 Коментар
стари
нови
Отзиви
Всички коментари

Нови ревюта

Подобни новини