Неотдавна IBM обявиха, че са способни да създадат чип, който да работи на честота от над 500 GHz с помощта на “криогенно замразяване”. Предишният рекорд, постигнат от силициев чип, беше 125 GHz. Но това съвсем не е пределът и разработчиците говорят дори за скорости, близки до 1 TНz (1000 GHz), чрез използване на силициево-германиеви (SiGe) нанотехнологии. Анонсът е резултат от проект, стартиран от IBM и Georgia Institute of Technology, чиято цел е да изследва предела на скоростните възможности на SiGe устройствата. Според IBM материалът, който са използвали, позволява на чиповете да оперират на все по-висока скорост, когато тяхната температура намалява. При стайна температура прототипът е работил на 350 GHz. След това чрез използване на течен хелий изследователите са го охладили до -268,5 градуса по Целзий. Учените са на мнение, че вероятно силициево-германиевите транзистори биха могли да достигнат до скорост от порядъка на 1 TНz при стайна температура. Технологията е представена от IBM още през 1989 г.
Чипове с подобна скорост може би няма да са подходящи за домашните PC-та, но ще могат успешно да се внедрят в комерсиалните комуникационни системи, военните защитни технологии, космическите изследвания и други подобни сфери.
Източник: computers.bg
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
