Intel преоткрива транзисторите с използването на нова 3-D структура

2
55

От изобретяването на транзистора през 1947 г. технологията е напреднала бързо, подготвяйки пътя за още по-мощни и в същото време по ценово и енергийноефективни продукти. Този постоянен напредък със скоростта, предсказана от Закона на Муур, изисква множество иновации, като едни от последните забележителни такива са обтегнатият силиций (въведен от Intel през 2003 г.) и high-k/metal gate (въведен от Intel през 2007 г.). Сега Intel е на път да направи още една радикална промяна в дизайна на своите транзистори – промяна, която ще предложи несравнима комбинация от производителност и енергийна ефективност за цял диапазон от компютри – от сървъри до десктопи и от лаптопи до handheld устройства.

За първи път в историята силициевите транзистори влизат в третото измерение. Intel представя tri-gate транзистора, при който транзисторният канал е издигнат в 3-то измерение. Сегашният енергиен поток се контролира на 3 страни от канала (горен, ляв и десен), вместо само от горе като в традиционните плоски транзистори. Крайният резултат е много по-добър контрол върху транзистора, който максимизира енергийния поток (за най-добра производителност), когато е включен, и го минимизира (като намалява изтичането на енергия), когато е изключен.
Нека разгледаме историята на транзистора и ключовите моменти в нея, докато 22 нанометровата иновация на Intel ни въвежда в нова технология за полупроводници и гарантира, че Законът на Муур ще бъде продължен в недалечното бъдеще.

• 16 декември 1947 г.: Уилям Шокли, Джон Бардийн и Уолтър Братейн успешно изграждат първия транзистор в Bell Labs.

• 1950 г.: Уилям Шокли разработва транзистора с биполярно съединение – устройството, което обикновено се нарича транзистор според днешните стандарти.

• 18 октомври 1954 г.: Първият радио транзистор – Regency TR1, е пуснат на пазара и съдържа само четири транзистора от германий.

• 25 април 1961 г.: Първият патент е присъден на Робърт Нойс за интегрираната електрическа верига. Оригиналните транзистори са били достатъчни за употреба в радио апарати и телефони, но по-новата електроника изисква нещо по-малко – интегрираната електрическа верига.

• 1965 г.: Ражда се Законът на Муур, когато Гордън Муур предсказва, че броят транзистори на един чип ще се удвоява на близо две години (десет години по-късно този период е ревизиран на всеки 2 години) в бъдеще, както е казано в статия в Electronics Magazine. Три години по-късно той и Боб Нойс основават Intel, съкратено от „интегрирана електроника”.

• 1969 г.: Intel разработва първата успешна технология за PMOS силициеви gate транзистори. Те продължават да използват традиционен силициев диоксид (SiO2) с диелектричен gate, но въвеждат нови полисилициеви gate електроди.

• 1971 г.: Intel пуска първия си микропроцесор – 4004. Той е с размери 1/8 на 1/16 от един инч (1 инч е равен на 2.54 см.), съдържа 2250 транзистора и е произведен по 10 микронната PMOS технология на Intel на пластини от по 2 инча.

• 1985 г.: Микропроцесорът Intel 386™ е пуснат на пазара. Той има 275 000 транзистора – над 100 пъти повече от оригиналния микропроцесор 4004, представлява 32-битов чип и извършва няколко задачи едновременно, т.е. може да оперира с няколко програми по едно и също време. Оригиналното му производство използва 1.5 микронна CMOS технология.

• 13 август 2002 г.: Intel разкрива няколко технологични напредъка при бъдещата си 90 нанометрова производствена технология, включително по-голяма производителност, транзистори с по-ниска консумация на енергия, обтегнат силиций, високоскоростни медни връзки и нов, low-k диалектричен материал. Това ще е първият процесор в индустрията, който ще използва обтегнат силиций за производство.

• 29 януари 2007 г.: Intel разкрива революционни материали за транзистори – high-k и metal gate, които ще използва за изграждането на изолационната стена и превключвачи за хиляди микроскопични 45 нанометрови транзистори в следващото поколение многоядрени процесори с кодово име Penryn – Intel® Core™ 2 Duo, Intel Core 2 Quad и Xeon®.

• 3 май 2011 г.: Intel обявява, че е е на път да използва коренно различен дизайн на транзистори за масово производство. Транзистрорът tri-gate ще осигури несравнима комбинация от производителност и енергийна ефективност за широк набор от компютри – от сървъри и десктопи до лаптопи и handheld устройства.

Intel, световният лидер в силициевите иновации, разработва технологии, продукти и инициативи, за да усъвършенства непрекъснато начина, по който хората работят и живеят.

0 0 гласа
Оценете статията
Абонирай се
Извести ме за
guest
2 Коментара
стари
нови оценка
Отзиви
Всички коментари