Компанията Rambus на поредното мероприятие за инвеститорите сподели предварителните спецификации на оперативната памет тип HBM3 и DDR5, в работата по която участват много от лидерите в тази индустрия.

Чиповете и по двата стандарта ще се произвеждат чрез 7 нанометров технологичен процес. През 2018 година е планирано усвояването масовото производство на чипове чрез 10 нанометров технологичен процес и появата на новите типове памет в потребителската компютърна електроника се очаква към 2020 година.

Многослойната HBM3 памет ще предложи двойно по-голяма пропускателна способност в сравнение със сегашната HBM2. Новите чипове ще могат да работят със скорост до 4 Gb/s, което при наличието на 1024-битова шина означава пропускателна способност 512 GB/s. Ако направим сравнение, двата чипа HBM2 памети, използвани във видеокартите Radeon RX Vega 64 осигуряват пропускателна способност 484 GB/s.

Новата DDR5 оперативна памет ще работи с ефективна честота от 4800 до 6400 MHz. Да си припомним, че най-бързите комплекти DDR4 памет достигат 4600 MHz с повишено до 1,5 V напрежение вместо стандартните 1,2 V, докато захранващото напрежение на DDR5 паметите е 1,1 V.

0 0 гласа
Оценете статията
Абонирай се
Извести ме за
guest
0 Коментара
Отзиви
Всички коментари