Samsung започва масово производство на 3GB модули за следващото поколение смартфони. Новото поколение мобилна DRAM ще използва четири LPDDR3 чипа, а техният размер е най-малкия в индустрията – 20 нанометра.
Новите памети са с височина 0,8 милиметра, което ще осигури повече място за батерията и/или по-тънък дизайн на смартфона. Максималната скорост на трансфер е 2133 Mbps за пин.
“Новата мобилна DRAM на Samsung ще бъде използвана в смартфоните от висок клас, които ще излязат до края на тази година. Това ще е само началото. През 2014-а година всички телефони от висок клас ще бъдат с 3GB памет,“ заяви Йонг-Хюн Джюн, вицепрезидент на продажбите на памет в Samsung Electronics.
С увеличения капацитет на паметта, потребителите ще могат да се радват на безпроблемно гледане на Full HD видео, както и на по-бърз мултитаскинг на техните смартфони. Също така новите LPDDR3 скорости увеличават скоростта на сваляне и предлагат пълна поддръжка на LTE-A (LTE Advanced), което е следващото поколение мобилен телекомуникационен стандарт.
От Samsung не споделят кои ще са първите модели с 3GB памет, но най-вероятно Galaxy Note III ще бъде един от тях и ще успее да зарадва потребителите с допълнителна мощност.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
