Samsung представи първата серия пробни чипове, произведени чрез 3 нанометров технологичен процес, в които се използват GAA (gate-all-around) транзистори – транзисторите, обкръжени от гейтове, съобщи изданието Tom’s Hardware. Според тази информация, за разработването на Samsung Foundry, съответният и отдел на южнокорейската компания, който се занимава с разработването и производството на полупроводникова продукция, е използвал специализирания софтуер Fusion Design Platform на компанията Synopsys.
В технологията Samsung 3GAA се използват GAA транзистори, които са характерни с повишената си плътност, слаби токове на изтичане и осезателно по-висока производителност в сравнение на сега използваните транзистори. Едно от преимуществата на GAA транзисторите е възможността за промяна на показателите на тяхната производителност и енергийна ефективност, което става чрез задаване на необходимата ширина на техните канали и наностраници.
„Структурата на GAA транзисторът е ключов момент в развитието на технологичните процеси и има решаващо значение за поддръжката на същата траектория на мащабиране за следващата вълна от мащабни иновации“ – заяви ръководителят на отдела Digital Design Group на компанията Synopsys Шанкар Кришнамурти (Shankar Krishnamoorthy).
Използвайки специализирания софтуер на компанията Synopsys, специалисти на Samsung Foundry са създали сложна система-върху-чипа, която включва всички функционални блокове, най-често използвани в практическото серийно производство на чипове.
Първият клиент, който ще използва новите 3 nm чипове ще бъде LSI – дъщерната компания на Samsung, която се занимава с разработването на SoC за смартфони, персонални компютри, телевизори и друга електроника.