Samsung възнамерява да използва нова технология с име Back Side Power Delivery Network (BSPDN) при производството на чиповете от следващо поколение чрез 2 нанометров технологичен процес. Новата технология бе представена по време на събитието SEDEX 2022 от водещия специалист на компанията Парк Бън Чже,
От техническа гледна точка BSPDN не променя начина на поместване на транзисторите в кристала, а е по-нататъшна еволюция на дизайна с използването на чиплети, които се използва и от Intel, TSMC и самата Samsung, но с използването на новите версии на технологиите FinFET, GAA и MBCFET.
BSPDN дава възможност за създаването на изключително сложни системи върху чипа (SoC), в които могат да бъдат поставяни чиплетите на различните компании, които могат да бъдат произвеждани чрез различни технологични процеси.
Друга характерна особеност на BSPDN технологията в възможността за създаването на чипове с 3D структура. В тези чипове е възможно обединяването на кристалите чиплети с кристалите памет, които са разположени един над друг. Също така BSPDN технологията дава възможност провеждащият електрическите сигнали слой да бъде поставен под силиция, а захранването да бъде подавано на горния слой.
Според предварителните анализи, чиповете произведени чрез BSPDN технологията ще имат с 44% по-висока производителност и едновременно с това ще консумират с 30% по-малко електрическа енергия.