По време на технологичната конференция Samsung Tech Day 2022 южнокорейският производител на най-съвременни чипове сподели успехите си в разработването на оперативна памет от ново поколение. В лабораториите на технологичния гигант тече усилена работа върху V-NAND и DDR5 чипове памет с много голям капацитет, както и върху високоскоростни LPDDR5X решения. Едновременно с това специалистите на Samsung разработват нова буферна памет от GDDR7 стандарта, предназначена за бъдещите поколения видеокарти.
Южнокорейският технологичен гигант заяви, че в новите чипове скоростта за обмен на информация ще бъде увеличена до 36 Gb/s на контакт. Благодарение на това, пропускателната способност на буферната памет на хипотетична видеокарта с 384-битова шина на данните ще нарасне до впечатляващите 1,7 TB/s. Да напомним, че представената през месец септември тази година графична карта GeForce RTX 4090 този параметър е на ниво 1 TB/s. Да добавим, че наскоро Samsung започна продажбите и доставките на първите GDDR6 чипове оперативна памет със скорост за обмен на данните 24 Gb/s.
Samsung допълва, че е почти готов с новите DDR5 чипове с капацитет 32 Gb, което ще даде възможност за производството на RAM плочки с много голям капацитет и висока плътност на информацията. А в началото на следващата година трябва да започне производството на LPDDR5X памет с ефективна честота 8500 MHz. Тези чипове са предназначени за флагманските лаптопи и смартфони.