Новите високопроизводителни чипове с ниска консумация на енергия ще дадат тласък на 5G, изкуствения интелект, интернет на нещата и ще усъвършенстват интелигентните устройства от следващо поколение, подкрепяйки устойчивото технологично развитие.
Китайски изследователи създадоха нов материал, който има потенциала да осигури двуизмерни компютърни чипове с ниска консумация на енергия.
Екипът е създал стабилен, невероятно тънък слой от алуминиев оксид – с дебелина само 1,25 nm – върху повърхността на монокристален алуминий при стайна температура, използвайки уникален метод на окисление.
Този нов материал, който се отличава с ниско ниво на изтичане от гейта, ниска плътност на връзките и висока диелектрична проницаемост, отговаря на строгите изисквания, установени от Международната пътна карта за устройства и системи.
Група от Шанхайския институт по микросистеми и информационни технологии към Китайската академия на науките заяви, че това изобретение има потенциала значително да подобри енергийната ефективност, което би имало важни последици за удължаване на автономната работа на смартфоните.
Тъй като силициевите полеви транзистори (FET) достигат границите на своята миниатюризация, необходими са нови материали, за да се намалят проблемите, като например тези с ефектите на късите канали. Двуизмерните (2D) материали, като молибденов дисулфид (MoS2), са обещаващи поради тяхната атомна тънкост и висока подвижност на носителите.
В крайна сметка по този начин вече се произвеждат 2D FET транзистори с отлични технически характеристики.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
