Huawei и Xiaomi възнамеряват да използват радикално новата LLW памет в смартфоните през втората половина на 2027 година

Производителите на чипове започнаха да разработват технологията LLW (Low Latency Wide DRAM), предназначена за решаване на проблемите с производителността на паметта в мобилните устройства с изкуствен интелект. Новото решение се позиционира като компромис между високоскоростната HBM памет и традиционната LPDDR, използвана в съвременните смартфони.

Необходимостта от LLW възникна поради нарастващите изчислителни изисквания на приложенията с изкуствен интелект в устройствата. Високопроизводителната HBM памет, използвана в сървърите и графичните процесори, не може да се прилага директно в смартфоните поради сложността на интеграцията, високите изисквания за охлаждане и значителните разходи за опаковане. Съществуващата памет LPDDR има недостатъчна широчина на честотната лента и висока латентност за бъдещите нужди на мобилните системи за изкуствен интелект.

LLW се основава на по-тясна интеграция на компонентите и се очаква да преодолее ограниченията на настоящите решения за памет. По отношение на спецификациите новата памет теоретично може да намали консумацията на енергия с около 50%, като същевременно увеличи производителността с един и половина пъти, въпреки че точните параметри за сравнение все още не са уточнени.

Комерсиалната реализация на LLW се очаква през втората половина на 2027 г. Huawei и Xiaomi се разглеждат като потенциални лидери в адаптирането на тази технология. Местните производители на смартфони ще се сблъскат с трудности при бързата широкомащабна комерсиализация поради сложността на производството и необходимостта от тестване на нови решения.

Експертите от индустрията смятат, че подобряването само на процесорите и модулите за обработка на невронни мрежи не е достатъчно за развитието на мобилния ИИ. Архитектурите на паметта с увеличена пропускателна способност и намалена латентност са признати за една от ключовите области на технологично развитие в мобилната индустрия.