Корейският уеб-сайт ETNews съобщи, че Samsung Electronics е подготвил своите мощности за производството на супербързата флаш-памет тип UFS 2.0 NAND, която ще позволи на флагманските смартфони от 2015 година и по-конкретно Galaxy S6, да обменят данни със скорост до 1,2 Gb/s. Днешните смартфони, които използват стандартната eMMC NAND флаш-технология, обменят данни със скорост до 400 Mb/s.
Универсалната флаш-памет (Universal Flash Storage) е следващо поколение на NAND Flash паметите и съчетава високата скорост, характерна за SSD и ниската консумация на електрическа енергия, типична за eMMC паметите. Новата памет е в състояние да осигури поточно предаване на големи обеми данни, например видео с много висока разделителна способност, което може да бъде транслирано с помощта на LTE-A.
Samsung възнамерява постепенно да замени стандартните SD и microSD карти памет с решения, базирани на UFS. Корейската компания е водещ световен производител на NAND флаш-памети и ако осъществи бърз преход към новия стандарт, ще може да завземе голяма част от пазара на мобилни устройства.
Върху производството на новата супербърза UFS памет работи и Xiaomi, която в момента усвоява тази технология и също възнамерява да я използва в своите смартфони.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
