Необичайното ускорение на електроните в нанонишките дава възможност за създаването на свръхбързи транзистори

Германски учени демонстрираха, че скоростта на електроните в кристалните нанонишки се увеличава с над 30% ако на тях се приложи разтегателна сила. Този феномен дава възможност за разработването на свръхбързи транзистори, които могат да направят електрониката по-компактна, по-бърза и по-икономична.

Полупроводниковите кристални нанонишки са в състояние да дадат на хората много по-бързи компютри, с по-миниатюрни чипове, които консумират по-малко енергия от сегашните. Ключова роля в тази идея играе подвижността на електроните: колкото по-бързо те се ускоряват, толкова по-бързо работи транзисторът и по-малко енергия изисква за своята работа.

Германските специалисти от лабораторията NaMLab към дрезденския технологичен университет експериментално показаха, че подвижността на електроните съществено се повишава, когато сърцевината на нишката изпитва сила на опъване. Този феномен разкрива нови възможности за разработването на изключително бързи транзистори от съвсем нов тип.

Демонстрирано е поведението на електроните в нанонишки със сърцевина от галиев арсенид, която е обвита с индий-алуминиев арсенид. Двете вещество имат неголеми разлики в кристалната решетка, които принуждават обвивката да прилага сила на разтягане към по-тънката сърцевина. В резултат от това галиевият арсенид променя своите електронни свойства.

Този ефект бе теоретично предсказан и сега бе практически потвърден чрез серия от тестове. Те показаха, че електроните в сърцевината на подобни нанонишки се движат с 30% по-бързо при стайна температура в сравнение с нишките изградени изцяло от галиев арсенид, към които подобна сила не е приложена.