Подобрената 332-слойна флаш-памет на Kioxia ще предлага идентичен капацитет на кристалите като 218-слойната флаш-памет

Kioxia публикува обновена версия на своята пътна карта, разкривайки, че предстоящата 332-слойна флаш-памет BiCS от 10-то поколение ще може да предложи само 2 TВ капацитет. Макар че това не звучи много – настоящите 218-слойни чипове имат идентичен капацитет – производителят намекна относно възможността за пускане на флаш-памет с по-висок капацитет в 10-тото поколение без използване на технологията Penta-Level Cell (PLC).

В момента 332-слойната NAND памет е във фаза на разработка. Тя е част от това, което Kioxia нарича „двуосна стратегия“ за развитие на продукта. Тази стратегия разделя разработката на две области: увеличаване на броя на слоевете за повишаване на капацитета и подобряване на производителността чрез архитектурата Charge-Based Architecture (CBA), която увеличава пропускателната способност, намалява латентността и консумацията на енергия. Според Kioxia, този подход позволява увеличаване на капацитета без компромис с издръжливостта.

Пътната карта на Kioxia не споменава плановете на компанията за PLC решенията, въпреки че други доставчици вече работят в тази посока. Вместо това, Kioxia изглежда планира да удвои усилията си върху подобренията в процесите и разработването на нови контролери, за да отговори на нуждите на пазара.

Наскоро Kioxia се фокусира върху две SSD семейства: серията CM9, която е насочена към високата производителност за приложенията с изкуствен интелект, и серията LC9, която е насочена към високия капацитет. И двата продукта са изградени на базата на BiCS FLASH чипове от 8-мо поколение, които внедряват CBA технологията и поддържат енергийно ефективни и високопроизводителни работни натоварвания.

Kioxia също така заяви, че подготвя SSD, използващ XL-Flash SLC памет с висок IOPS. Очаква се устройството да надхвърли 10 милиона IOPS. Официално трябва да бъде представено през втората половина на следващата година.