Представиха свръхпроводящ транзистор от графен

Учените от Националната лаборатория Лоурънс проведоха успешен експеримент, при който структура от графен преминава от едно фазово състояние в друго под въздействието на управляващо напрежение.

Имитиращата транзистор структура е съставена от три слоя графен с дебелина един атом и два слоя боров нитрид, които са поставено най-отдолу и най-отгоре на графеновия пакет. Към пластините от боров нитрид са прокарани електроди за създаването на управляващо поле. Цялата структура е охладена до температура 5 градуса по Келвин, за да се постигне свръхпроводимост. Тъй като теорията за свръхпроводимостта, особено при малко по-високи температури е съвсем непълна, учените са подбирали по експериментален път точните управляващи напрежения и температурата на охлаждане.

При точно определено управляващо напрежение графеновият транзистор спира да провежда електрически ток, а при увеличаване на напрежението над определен праг или при намаляване на температурата под 40 миликелвина, устройство започва да провежда ток.

Кристалната решетка на боровия нитрид е шестоъгълна по това прилича на графена, но поради разликата в разстоянието между атомите, структурите на решетката съвпадат само в някои участъци. При прилепването на различните структури се образуват повтарящи се на около всеки 10 нанометра еднакви участъци. Именно те са преходите на новия графенов транзистор.

Засега това са само лабораторни експерименти, които могат да бъдат повторени и в други лаборатории. Предстои още много работа преди графеновият транзистор да започне да се използва в практиката.