Японският Национален институт за съвременни технологии AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) представи първите образци на топологичната памет TRAM (topological-switching RAM) от нов тип, базирана на фазови преходи в кристали от сложни химически съединения.
Използва се кристалната решетка на сплавта GeTe/Sb2Te3, а първите образци демонстрираха изключително високи резултати на енергийна ефективност. Новата технология може да се използва за създаване на нови SSD дискове с изключително ниска консумация на електрическа енергия.
Паметта, базирана на фазови преходи работи чрез преминаване клетките на паметта от кристално в аморфно състояние и обратно под въздействието на електрически ток с точно определени параметри. В TRAM паметта се използва физическото преместване на атомите на германиевите атоми на съвсем малко разстояние.
За нормалната работа на новата TRAM памет е необходимо напрежение от 0,7 волта и ток 55 микроампера. Скоростта на новите памети почти 100 пъти превишава скоростта на най-добрите NAND flash памети, а един TRM чип по обем и производителност може да замени 64 чипа стандартна флаш памет.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
