Преди няколко дни AMD и IBM обявиха новия си технологичен полупроводников пробив базиран на филтрирана силициево-транзисторна технология, която подобрява прозводителността на процесора и енергийната ефективност.
Според компаниите резултатите ще покажат евентуално увеличение от 24% на скоростта на транзисторите при същото ниво на мощност в сравнение с подобни транзистори, произвеждани с по-стара технология.
Новия филтриран силициев процес, наречен „dual stress liner“ подобрява производителността на двата n-канални и p-канални транзистори чрез разтеглянето на силициевите атоми в един транзистор и компресирането им в друг.
Технологията не вкючва нови ценови продуктивни техники, като позволява бързо интегриране в големи обеми чрез стандартни инструменти и материали.
Производствената технология има за цел да разреши проблема с това транзисторите да работят по-бързо при положение, че стават по-малки и използват повече енегрия и с увеличени нива на топлоотделяне.
Производителите на процесори смятат постепенно да интегрират филтрираната силициева технология във всичките си платформи на базата на 90-нанометровата технология, включвайки я в новите процесори с множество ядра AMD 64. Пускането на тази технология се очаква през първата половина на 2005 година.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
