ASML създаде първия образец на полупроводник с помощта на High-NA EUV литография

Базираната в Нидерландия компания ASML обяви създаването на първите образци на полупроводници с помощта на първия си литографски скенер със свръхтвърдо ултравиолетово лъчение и проекционна оптика с висока числова апертура от 0,55 (High-NA EUV).

Събитието е крайъгълен камък не само за ASML, но и за High-NA EUV технологията като цяло.

„Нашата High-NA EUV система във Велдховен отпечата първите в света линии с плътност 10 нанометра. Визуализацията беше направена след като оптиката, сензорите и стъпалата преминаха през груб процес на калибриране. След това планът е системата да бъде приведена в състояние на пълна производителност и да се получат същите резултати в полеви условия.“

се казва в изявление на ASML

Понастоящем ASML е създала само три системи за High-NA EUV литография. Едната се сглобява в централата на ASML във Велдховен, Нидерландия, а другата се сглобява в американското съоръжение D1X на Intel близо до Хилсбъро, Орегон. Третата ще бъде сглобена в Imec, водещ изследователски институт за полупроводници в Белгия.

ASML е първата компания, която обявява успешното създаване на образец с помощта на системата за High-NA EUV литография, което е важен етап за цялата полупроводникова индустрия. ASML възнамерява да използва своя скенер Twinscan EXE:5000 само за изследване и усъвършенстване на технологията.

От своя страна Intel планира да използва Twinscan EXE:5000, за да се научи как да прилага EUV литография с висока числена апертура за масово производство на чипове. Скенерът ще се използва за проекти за научноизследователска и развойна дейност, използващи нейната патентована технологична линия Intel 18A (клас 1,8 nm).

Скенерът ASML Twinscan EXE:5200, оборудван с оптика с числова апертура 0,55 е проектиран да отлага елементи на чипове с разделителна способност 8 nm, което е значително подобрение в сравнение с настоящите EUV системи, които осигуряват разделителна способност от 13 nm. Новата технология намалява размера на транзистора 1,7 пъти и осигурява 2,9 пъти по-голямата му плътност на експозиция в сравнение с инструментите с ниска числова апертура (Low-NA EUV).

Скенерите с ниска числова апертура също могат да постигнат това ниво на разделителна способност, но това изисква използването на по-скъпия метод на двойно моделиране. Преминаването към системи за EUV литография с висока апертура е необходимо за производството на чипове под 3 nm, чието масово производство се очаква да започне през 2025-2026 година. Използването на High-NA EUV литография премахва необходимостта от две преминавания с два шаблона. По този начин се оптимизират производствените процеси, потенциално се увеличава производителността и се намаляват производствените разходи. От друга страна, High-NA инструментите струват до 400 млн. долара всеки и имат присъщи недостатъци. Те затрудняват прехода към по-усъвършенствани производствени процеси.