IBM анонсира 5 nm чип и събра 30 милиарда транзистора върху площ с размер на нокът

IBM обяви за създаването на първите транзистори с размер 5 нанометра. Новата технология е създадена съвместно с GlobalFoundries и Samsung Electronics.

Технологията дава възможност върху чип колкото малък човешки нокът да бъдат събрани до 30 милиарда транзистори, който ще може да се използва на практика навсякъде – от смартфоните до космическите кораби. Първите в света 7 нанометрови чипове също бяха анонсирани от IBM преди две години и имаха до 20 милиарда транзистори.

Високата плътност на транзисторите в чипа увеличава скоростта на сигнала между тях. IBM обяви, че 5 nm решения са с 40% по-производителни от сегашните 10 nm чипове и са със 75% по-енергийно ефективни при едно и също бързодействие.

IBM се отказва от FinFET архитектурата и създаде нова архитектура, в която се използва стек от четири нанослоя (silicon nanosheets) с 5 нанометрови чипове. Използват се 4 гейта, докато при FinFET транзисторите се използват три гейта. По всичко личи, че FinFET технологията ще бъде изоставена, понеже не дава възможност за мащабиране.

Очаква се 5 nm чипове да се появят на пазара през 2020 година. За новата технология е известно само, че за производството на 5 nm чипове ще се използва екстремна ултравиолетова литография.