IBM демонстрира транзистор от нанолистове, който може да издържа на кипящ азот

Концептуалният транзистор от нанолистове на IBM демонстрира почти двойно по-висока производителност при точката на кипене на азота. Очаква се това постижение да доведе до редица технологични постижения. Това може да е събитието, което ще стартира прехода от традиционните FinFET транзистори към нанолистови такива. 

Има потенциал да доведе до разработването на нов клас чипове.

Течният азот се използва широко в процеса на производство на полупроводници. За отстраняване на топлината и създаване на инертна среда в критичните зони на процеса. Въпреки това, когато се доведе до точката на кипене, която е 77 келвина или -196 °C, той вече не може да се използва за някои приложения. Тъй като сегашното поколение нанотранзистори не е проектирано да издържа на такива температури.

Това ограничение е проблем, тъй като се предполага, че чиповете биха могли да повишат производителността си в такава среда. Сега тази възможност може да бъде осъществена, както показва концептуален нанолистов транзистор на IBM.

Той беше представен на Международната среща за електронни устройства на IEEE 2023 в Сан Франциско.

Транзисторът показа почти двойно по-висока производителност при температура на кипене на азота в сравнение с работа на стайна температура. Това повишаване на производителността се дължи на по-малкото разсейване на носителите на заряд, което води до по-ниска консумация на енергия. Намаляването на консумацията на енергия може да помогне за намаляване на размера на чипа. Най-вече чрез намаляване на ширината на транзистора. Всъщност тази разработка може потенциално да доведе до създаването на нов клас мощни чипове с охлаждане с течен азот, без риск от повреда.

А осъществяването на прехода от FinFET транзистори е важно, за да се осъществят други мащабни планове.

Тъй като новите транзистори вероятно ще отговарят по-добре на техническите нужди за 3 nm чиповете.

Можем да очакваме, че нанолистовите транзистори ще направят своя пълномащабен дебют с възлите от клас 2 nm – например TSMC N2 и Intel 20A. Те ще се използват и в първия 2 nm прототип на процесор на IBM.

За да можете да си визуализирате значимостта на това откритие по-лесно, ето един факт. Архитектурата на устройствата с нанолистове позволява на IBM да разположи 50 милиарда транзистора в пространство с размерите на човешки нокът. През 2017 година IBM представи разработка на 5 nm, която има лимит от 30 милиарда транзистора. Така че прогресът е огромен.