IBM, AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и College of Nanoscale Science and Engineering гордо анонсираха, че са успели да направят работещ 22 nm SRAM (static random access memory) чип. Произведен в лабораториите на IBM в Олбани, Ню Йорк, SRAM притежава 6-слоен дизайн.
„Работим на ръба на възможностите и преминаваме към следващото поколение технологии за полу-проводници. Тази нова разработка е голямо постижение в микроелектрониката,“ споделя д-р Т. К. Чен, вице-президент към IBM Research.
Преди да преминем към 22 nm производствен процес, трябва първо да минем през 32 nm. Затова най-вероятно новата технология ще придобие популярност следващата година.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
