Появиха се нови подробности за проектирания от специалистите на IBM транзистор от нов тип, подходящ за създаване на нов клас енергонезависима памет. Ролята на полупроводник в новия транзистор се изпълнява не от силиций, а от ванадиев двуокис (VO2). Под въздействието на положително заредена йонна течност се извършва фазов преход в метално състояние, а чрез отрицателно заредена – в изолатор.
На по-горната илюстрация е показано устройство с капка йонна течност върху златните контакти на интегралната схема. На увеличения участък в дясната страна е показан каналът на транзистора (потъмнената жълта област).
Ценността на откритието е в това, че специалистите на IBM са успели да намерят такъв материал, който заставя ванадиевият двуокис надеждно да преминава в метално състояние и да го запазва, докато не влезе в контакт с отрицателно заредената йонна течност. В този случай кислородът се връща в съединението и вместо метал се получава изолатор VO2. За всеки транзистор е необходима капка от йонна течност с обем около 0,1 пиколитра. По време на експериментите е използвана стандартната заводска течност HMIM-TFSI след нейната дехидрация във висок вакуум и температура 120 целзиеви градуса в продължение на няколко денонощия.
Преимуществата на памет, изградена от подобни транзистори е енергонезависимостта. Тази памет може да работи без включване към електрическо захранване – подобно на човешкия мозък, което може съществено да понижи консумираната енергия от интегралните схеми.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
