Интернет изданието EETimes съобщи, че Intel е готов да започне масовото производство на магниторезистивната STT-MRAM оперативна памет (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). За производството на новия тип RAM процесорният гигант е адаптирал своя 22 нанометров FinFET технологичен процес и възнамерява да интегрира MRAM клетките в най-различни устройства, включително и в продуктите от концепцията „интернет на нещата“.
STT-MRAM паметта е един от най-перспективните кандидати за замяна на традиционните DRAM и NAND оперативна памет. Тя съчетава енергийна независимост, високи скорости за четене и запис на данните и огромен ресурс. Според специалистите на Intel, които представиха доклад на тази тема по време на събитието ISSCC 2019, MRAM клетките могат да съхраняват информацията в продължение на 10 години при температура до 200 градуса по Целзий и издържат над един милион цикъла на презапис.
Още едно достойнство на MRAM паметта е, че Intel е постигнал изключително ниски стойности на брака. При използването на 22 нанометровия технологичен процес, производството на качествени MRAM клетки е над 99,9%. Техническите анализатори са на мнение, че при производството на новата памет Intel използва повече технологии отколкото употребява в своите 14 нм полупроводникови продукти.
По време на конференцията ISSCC 2019 процесорният гигант показа първите образци от новата памет, в която скоростта на обмен на информацията зависи от захранващото напрежение.