Intel и Micron представиха новата ReRAM памет 3D XPoint

Преди няколко часа Intel и Micron с голям ентусиазъм представиха новата революционна памет 3D XPoint (XPoint се произнася като cross-point – възел, пресечна точка). Според създателите, това е най-великото изобретение в този отрасъл след разработването на NAND флаша. Новата енергонезависима памет 3D XPoint е 1000 пъти по-бърза от NAND-флаш паметта, едновременно с това е 1000 пъти по-устойчива към износване и е 10 пъти по-плътна от DRAM.

Първите образци на 3D XPoint памет ще се произведат още тази година, а първите устройства с тази памет трябва да излязат на пазара през 2016 година. Първото поколение 3D XPoint ще бъдат 128 Gb чипове със структура от две нива, всеки сегмент от която с обем 64 Gb. Производството е организирано в завода на Micron в щата Юта. С развитието на технологията ще се добавят нови слоеве, без значително увеличение на себестойността.

Създателите на новата памет отбелязват, че това е вид резистивна ReRAM памет, но не съобщават начина за превключване на възлите.

Уеб-порталът EE Times съобщи, че се използва нишковидна структура за превключване на клетките в 3D XPoint, но това са само предположения. Производителите държат в строга тайна принципа на работа на новата памет, но е ясно, че производството на 3D XPoint памети започва.