Intel подготвя технологичен пробив с помощта на транзисторите Foveros Direct

По време на събитието IEEE International Electron Devices Meeting 2021, корпорацията Intel очерта визията си за развитието на полупроводниците до 2025 година, както и след това. Процесорният гигант декларира увеличаване плътността на връзките във вътрешността на чиповете с над 10 пъти, подобряване плътността на транзисторите с 30-50%, големи пробиви в технологиите за електрическо захранване и при паметите, както и нови концепции във физиката на полупроводниците .

„Intel никога не е спирал да осъществява проучвания и да прави иновации, за да усъвършенства Закона на Мур. Нашият екип за изследване на компонентите споделя ключови научни постижения за IEDM 2021, като въвежда революционни технологии за обработка и опаковане на чиповете, за да отговори на ненаситното търсене на мощни компютри, от които зависят нашата индустрия и общество. Това е резултат от неуморния труд на нашите най-добри учени и инженери. Те продължават да бъдат в челните редици на иновациите, за да усъвършенстват закона на Мур “, каза Робърт Чау, старши научен сътрудник на Intel и генерален мениджър на изследванията.

Един от начините за развитие е технологията за 3D опаковане на чиповете Foveros Direct, включваща осигуряване на размер за контактните зони под 10 микрона. По този начин значително се увеличава плътността на взаимовръзките – с над 10 пъти.

Друга перспективна технология е наслагването на няколко транзистора, което отбелязва прехода към пост-FinFET ерата. Очаква се 30-50% подобряване мащабирането на логиката благодарение на разполагането на много по-голям брой транзистори на квадратен милиметър.