На конференцията ISSCC (International Solid State Circuits Conference) която протича в момента в Сан Франциско, Samsung анонсира технология за производство на FinFET чипове чрез 10 нанометров технологичен процес.
Да си припомним, че южнокорейският гигант първи започна серийното производство на мобилни FinFET чипове чрез 14 нанометрова технология – чипсетът Exynos 7 Octa с осем процесорни ядра, който според неофициална информация ще се използва в Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge. Samsung подчерта, че в сравнение с 20 нанометровата технология, 14 nm FinFET е 20% по-бърз и едновременно с това консумира 35% по-малко електрическа енергия.
Новата 10 нанометрова технология за производство на чипове ще бъде внедрена през 2016 или 2017 година. Нейното използване още повече ще увеличи изчислителната мощност на чиповете и ще продължи времето за автономна работа на мобилните устройства. Вицепрезидентът на Samsung по полупроводникова техника Ким Ки Нам съобщи още, че ще се произвеждат и 10 нанометрови DRAM и 3D V-NAND чипове, които ще имат много по-голям информационен капацитет при същите и дори по-малки размер.
Да не забравяме че в началото на седмицата, на същата конференция Intel анонсира 7 нанометров технологичен процес за производство на чипове.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
