Изданието Yonhap News съобщи, че Samsung започва производството на нови чипове чрез 3 нанометров технологичен процес още от следващата седмица. Това означава, че Samsung ще изпревари TSMC, който наскоро обяви, че че започне производството на 3 nm чипове през втората половина на тази година.
Новият 3 nm технологичен процес на Samsung намалява площта на кристала с 35%, увеличава производителността с 30% или намалява консумацията с 50% в сравнение с 5 нанометровия технологичен процес, който се използва за производството на SoC Snapdragon 888 и Exynos 2100.
Това ще бъде постигнато чрез прехода към конструкцията от типа Gate-All-Around (GAA) за транзисторите. Това е следващата стъпка след FinFET, понеже дава възможност да се намалява размера на транзисторите без да се намалява тяхната проводимост. Използваната GAAFET технологията за производството на 3 nm полеви транзистори е усъвършенстваната версия на MBCFET.
Миналата година се появи неофициална информация, че компанията възнамерява да инвестира $10 милиарда за строителството на завод за производството на 3 nm чипове в Тексас. Сега вече тези инвестиции са нараснали до $17 милиарда, а строежът на новия завод се очаква да започне в началото на 2024 година.
Да добавим, че Samsung възнамерява през 2025 година да започне производството на чипове чрез 2 нанометров технологичен процес.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
