Samsung обяви, че започва масовото производство на 64-слойните чипове флаш памет TLC 3D NAND с използване на технологията 3D V-NAND от четвърто поколение.
Южнокорейският гигант стартира производството на 256 Gb (32 GB) чипове, а малко по-късно ще започне производството и на чипове с обем 512 Gb или 64 GB. Новата памет е със скорост за обмен на данни до 1 Gb/s, а tPROG тайминга (типичното време за запис на една страница) е 500 микросекунди, което означава, че засега това е най-бързата памет от този тип на пазара. Този параметър е около 4 пъти по-добър от типичния тайминг на планарната флаш памет, произвеждана чрез 10 нанометров технологичен процес.
Южнокорейският производител допълва, че в сравнение с 48-слойните 3D V-NAND чипове, използвани въс флаш-дисковете Samsung SSD 850 EVO, новата памет има редица преимущества. Общата енергийна ефективност и производителността са нараснали с над 30%. Консумацията на електрическа енергия е намаляла, понеже в новите чипове захранващото напрежение е понижено от 3,3 на 2,5 V. Освен това времето на живот на една клетка е увеличено с 20% в сравнение с предишната памет.
В края на тази година произведените 64-слойни пластини е планирано да бъдат 50% от всички произведени чипове. Сега се разработват терабитови чипове с 90 и повече слоя.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
