Компанията Samsung съобщи, че е първото дружество в състояние да разработи флаш-памет MLC (multi-level-cell) NAND на базата на технологията Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0. Тези нови чипове са с капацитет от 64 GB (8 GB) и ще бъдат произведени по нормите на 20-нанометровия технологичен процес. Въпросните чипове са предназначени за внедряване в смартфони, таблети и SSD устройства.
Благодарение на използваната технология Toggle DDR 2.0, новите флаш-чипове ще позволят достигане на скорост за предаване на данни до 400 Mbps, което е 10 пъти повече от възможностите на устройствата SDR (Single Data Rate) NAND (40 Mbps) и 3 пъти от устройствата с Toggle DDR 1.0 (133 Mbps). По този начин, тези чипове ще предоставят значителен ръст на производителността в следващото поколение смартфони и твърдотелни дискове с интерфейс SATA3 (скорост за предаване на данни до 6 Gbits).
Отбелязва се, че компанията Samsung вече е започнала производството на флаш-чиповете MLC NAND, на базата на технологията Toggle DDR 2.0 с капацитет от 64 GB, а също така и че те скоро ще се появят в потребителските електронни устройства.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
