Samsung започва производството на 24-слойна флаш-памет

Samsung първа в света успя да започне конвейерното производство на триизмерни чипове вертикална флаш-памет (3D V-NAND), които ще позволят кардинално подобрение характеристиките на тези запомнящи устройства (computerworld.com).

Първият образец на 3D V-NAND чип е 24-слойната 128 гигабитова памет, която ще бъде използвана за производство на твърдотелни запомнящи устройства с обем от 128 GB до 1 TB.

Инженерите на корпорацията твърдят, че това е само началото и в бъдеще броят на слоевете ще бъде съществено увеличен, което ще премахне ограниченията за максимален обем флаш-памет при определени физически размери. По този начин, следващото поколение 3D V-NAND чипове ще бъде съставено от 32 и повече слоя. Капацитетът на флаш-паметите може още сега да бъде повишен до няколко терабайта, но предлагането на подобни памети ще зависи от пазарното търсене.

Допълнително, новите чипове са значително по-надеждни от „плоските“. Samsung твърдят, че тяхната надеждност е „от 2 до 10 пъти по-висока“, в сравнение с обикновените 10-нанометрови NAND-чипове, като и скоростта им на запис е два пъти по-голяма. Изследванията, водени в областта на многослойните клетки памет (MLC) отдавна показваха, че при по-висока плътност на клетките се постигат по-високи скорост и надеждност.

Реализирането на свръхвисока плътност на информацията позволява постигането на по-голям брой цикли четене-запис, понеже става възможна лесната автоматизирана замяна на окончателно повредените клетки с резервни. Остава да разберем, каква ще е цената на новите флаш-памети.