Samsung започна масовото производство на 20-nm чипове DDR3-памет с плътност 4 гигабита

Samsung официално обяви, че започва серийното производство на 20 нанометрови чипове памет тип DDR3 с плътност 4 Gb. Според производителя, новите чиповe са предназначени „за използване в широк спектър от изчислителни приложения“. За произвеждане на новата памет се използва имерсионна литография с малка дължина на вълната.

Към днешен ден, 20 нанометра са минималните, подходящи за серийно производство на DRAM. Всяка клетка на този тип памет съдържа кондензатор и транзистор и намаляването на нейните размери е по-сложно, отколкото при NAND флаш-паметта, в която кондензатор няма. При производството на новата памет Samsung са използвали модифицирана технология за експониране с двоен шаблон и формиране на атомарен слой.

Тази технология, според производителя, е важен технологичен етап, понеже производството на 20 нанометровата DDR3 памет става с наличното оборудване и създава база за производство на следващо поколение 10 нанометрови чипове памет.

Преходът към 20 нанометрови DDR3 DRAM памети намалява обема на чипа с около 30% в сравнение с 25 нанометровата технология и постига повече от двукратно намаление в сравнение с чиповете, произведени чрез 30 нанометров технологичен процес.

Новите чипове памет на Samsung са със същия обем, като чиповете от предишно поколение, но информационният капацитет е по-голям, а консумацията на електрическа енергия е намалена с 25%.