Samsung започна масовото производство на DRAM чипове от 10 нанометров клас

Samsung Electronics първа започна серийното производство на DDR4 (Double-Data-Rate-4) памети чрез технология от 10 нанометров клас.

Използването на 10 нанометров клас означава от 10 до 19 нанометров технологичен процес. В сравнение с аналогичните чипове от 20 нанометровия клас или от 20 до 29 нанометров технологичен процес, консумацията на електрическа енергия е с до 10-20% по-ниска, а самите чипове са по-компактни с около 30%. Тези параметри понижават себестойността на новата памет.

Samsung използва новата технология от 10 нанометров клас за производство на DDR4 DRAM чипове с капацитет 8 Gb. Те ще се използват за производство на ефективни планки памет със скорост за обмен на информацията до 3200 Mb/s.

Чрез новата технология ще се произвеждат памети с информационен обем от 4 (предимно за лаптопи) до 128 GB (за корпоративни сървъри).

Досега се считаше, че 20 нанометровата граница не може да бъде преодоляна при производството на DRAM, но специалистите на Samsung използваха имерсионна литография с използване на аргонов флуорид, която премахва ограниченията, наложени от ултравиолетовата литография (EUV). По този начин Samsung преодоля 20 nm бариера и започна производството на DDR4 памети от 10 nm клас.