Samsung очаква до края на годината да разполага с първия скенер за EUV литография с висока разделителна способност

Samsung възнамерява да започне инсталирането на първата си система за високотехнологична EUV литография до края на 2024 г. – началото на 2025 г. Скенерът, разработен от ASML, ще се използва за изследване и разработване на нови процеси, необходими за създаването на авангардни чипове и DRAM. Очаква се инсталирането да бъде извършено в кампуса на компанията в Хвасеонг, а системата да започне да функционира в средата на 2025 г.

Въпреки че Samsung ще започне да използва своята система High-NA EUV година по-късно от Intel, компанията все пак ще изпревари конкуренти като TSMC и SK hynix. Все още не е известно кога High-NA EUV ще бъде внедрена в масовото производство, но вероятно това ще стане през втората половина на това десетилетие.

Samsung активно разработва мащабна екосистема във връзка с технологията High-NA EUV. Съвместно с японската компания Lasertec компанията разработва оборудване за проверка на фотомаските, специално предназначено за High-NA EUV. Samsung вече е закупила инструмента за инспекция Actis A300 на Lasertec, който значително подобрява контраста на изображението.

Samsung също така работи с JSR, производител на фоторезисти, и с Tokyo Electron, компанията, която създава оборудване за ецване, за да се подготви за търговската реализация на High-NA EUV до 2027 г. Компанията работи и със Synopsys, за да премине от традиционните модели на фотомаски към криволинейни модели, което ще даде възможност за по-точни модели на пластините.

Разработените от ASML схеми High-NA EUV са в състояние да постигнат разделителна способност от осем нанометра, което е значително подобрение в сравнение с настоящите схеми Low-NA EUV, които са ограничени до 13 нанометра в една експозиция. Това ще намали размера на транзистора около 1,7 пъти и ще увеличи неговата плътност почти три пъти. Преминаването към High-NA EUV също така ще премахне необходимостта от двойно моделиране, което може да опрости производството и потенциално да намали разходите.

Преходът към High-NA обаче е свързан с редица предизвикателства. Тези системи са по-скъпи (380-400 млн. долара) и изискват значителни промени в дизайна на чиповете поради намаленото наполовина поле на изображението. Освен това по-големият им размер ще изисква промени в заводските планировки, за да се приспособи новото оборудване.