Samsung подготвя 1nm технологичен процес с новата революционна архитектура Fork Sheet към 2031 година

Южнокорейската компания възнамерява да въведе 1nm технологичен процес до 2031 г., след като приключи активните си изследвания до 2030 г. Ключов елемент на бъдещата технология ще бъде архитектурата Fork Sheet, която ще замени архитектурата GAA (Gate-All-Around), използвана в 2nm решения. Пътната карта се основава на напредъка на Samsung в овладяването на 2nm нода – добивът на едногодишни кристали по 2nm процес вече надхвърля 60%.

Преходът към 1nm се счита за една от най-предизвикателните задачи в микроелектрониката. Става въпрос не само за увеличаване мащаба на съществуващите решения, но и за необходимостта от въвеждане на нова транзисторна архитектура, тъй като традиционните подходи започват да достигат физическите си граници.

Ключов елемент на бъдещата технологична обработка ще бъде технологията на вилковите листове. Този подход включва използването на непроводима преграда между транзисторите, която подобрява изолацията и премахва неефективно използваното пространство в чипа.

Този подход се различава от технологията GAA (Gate-All-Around), използвана в 2nm процесите на Samsung днес. Въпреки че GAA вече осигурява висока енергийна ефективност чрез пълно покриване на канала с гейт, по-нататъшното намаляване на размера изисква по-радикални решения и именно тук Fork Sheet се разглежда като следващ етап от еволюцията.

По аналогия, предложена от разработчиците, новата архитектура наподобява развитието на гъсто застроен градски квартал: докато преди е имало свободно пространство между „сградите“, сега то се използва за разполагане на допълнителни елементи. Това позволява да се увеличи плътността на транзисторите и потенциално да се повиши производителността на чиповете.