Samsung представи новата GDDR6 памет с пропускателна способност 16 Gb/s

Samsung Electronics сподели плановете си да анонсира по време на CES 2018 своята първа GDDR6 памет, която ще се използва във видеокартите от следващо поколение. Новият чип е индексиран като K4ZAF325BM-HC14 и е с капацитет 16 Gb (2 GB). Чипът получи наградата „Най-добра иновация за CES 2018“.

Samsung подчерта, че новата GDDR6 памет е „най-бързата и най-ефективната DRAM за графичните решения от следващо поколение“. Чипът работи при напрежение 1,35 V и има пропускателна способност 16 Gb/s на линия.

Използването на GDDR6 памети в графичните карти с 256-битови шини рязко ще увеличи пропускателната способност на паметта до 512 GB/s или дори до 768 GB/s при топ-видеокартите с 384-битова шина. За сравнение, графичната карта Nvidia Titan X с 12 GB GDDR5X с ефективна честота 11,4 GHz има пропускателна способност на паметта около 548 GB/s.

Засега не се знае кога точно ще започне масовото производство на новата памет. Очаква се това да стане през пролетта на 2018 година, а може и малко по-късно, по-близо до анонса на новите Nvidia GeForce GTX с архитектура Volta.

GDDR паметите се използват предимно от NVIDIA. В своите нови проекти AMD използва HBM памет и изглежда, че през 2018 година това положение на нещата ще се запази.