Samsung ще започне производството на 286-слойна NAND в Китай, за да не изостане от местната YMTC

Цялата дейност през предходните три години, насочена към ограничаване на достъпа на китайските производители на памети до съвременните технологии за тяхното производство от страна на американските власти, в крайна сметка доведе до запазване на конкуренцията от страна на китайските компании. Така или иначе, по неофициални данни южнокорейската компания Samsung е била принудена да увеличи броя на слоевете 3D NAND памет, произвеждани в Китай, до 286 броя, за да не изостане от китайската компания YMTC.

Известнпо е, че китайската компания YMTC наскоро овладя масовото производство на памет от типа 3D NAND, което е еквивалентно на 294-слойната структура. Южнокорейската компания Samsung Electronics в Сиан, Китай, разполага с най-голямото предприятие за производство на полупроводникова памет. То осигурява до около 40% от продукцията на бранда. Първоначално Samsung възнамеряваше да модернизира производствените мощности на това предприятие в Китай, за да премине от производството на 128-слойна памет към 236-слойна памет, но сега явно ще направи още една крачка напред и ще започне производството на 286-слойна памет. По този начин компанията условно ще постигне теоретичен паритет с китайската YMTC.

По принцип извън Китай Samsung е готова да произвежда и по-модерна памет. В най-съвременното южнокорейско предприятие в Пьонгтаек тя възнамерява да започне масовото производство на 400-слойна 3D NAND памет още през следващите шест месеца. Дотогава в Сиан планира да произвежда от 2 000 до 5 000 силициеви пластини с 286-слойна 3D NAND памет на месец. Споразуменията с американските власти позволяват на Samsung да произвежда чипове памет с повече от 200 слоя в Китай, но същата YMTC в този случай попада под ограниченията за износ, без достъп до съответните технологии и оборудване.