Samsung ще увеличи производството на 1 nm DRAM памет

Samsung ускорява разширяването на производствения си капацитет за 1-nm DRAM памет, за да постигне лидерство на пазара на HBM4. Планът предвижда увеличаване на месечното производство до 140 000 пластини до второто тримесечие на 2026 г. и до 200 000 пластини на месец до четвъртото тримесечие. Тези етапи съответстват на етапите на настройка на оборудването, с цел постигане на готовност за масово производство на всеки етап.

Настоящият общ производствен капацитет на DRAM на Samsung е приблизително 650 000 до 700 000 пластини на месец. Това означава, че обемът на производство на най-новата 1-нанометрова DRAM памет бързо ще достигне приблизително 30% от общия си капацитет, а темпът на растеж на производството е надхвърлил разширението от 130 000 пластини на месец, постигнато по време на бума на полупроводниковата индустрия през 2022 г.

За да постигне тази цел, Samsung прави прехода чрез модернизиране на съществуващите производствени линии за DRAM памет и нови инвестиции в своя завод P4 в Пьонгтек. 

Това агресивно разширяване на капацитета отразява силното доверие на Samsung в своята 1 nm DRAM технология и пазарното търсене. Наскоро пазарът на DRAM, воден от силното търсене от изкуствения интелект, се сблъска с недостиг на доставките. 

Изправен пред същата възможност, конкурентът SK Hynix също планира да започне масово производство на 1-nm DRAM през 2025 г. и да достигне пълен капацитет през 2026 г. До края на 2026 г. се очаква повече от половината от вътрешното производство на DRAM памет с общо предназначение в Южна Корея да бъде по 1-nm процес, формирайки пълна гама от 1-nm продукти, включително LPDDR и GDDR.